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나노종합기술원

national nanofab center

산업체 재직자 교육

산업체 재직자 교육

교육목표

나노 · 반도체 융합산업 분야 종사자 기술 재교육을 통한
직무 전문성 증진과정​

  • 맞춤형 교육

    개별 교육 수요자의 특성과 이해도를
    파악하여 맞춤형 교육 과정을
    설계하고 제공

  • 전문가​ 컨설팅

    교육 과정과 연계된 전문 강사의
    컨설팅을 통해 ​현업에 필요한
    맞춤형 솔루션을 도출하고
    산업체 재직자들의 역량 제고

  • 열린​ 교육

    매월 나노홀에서 진행되는 나노 기술
    세미나·특강을 통한 최신 기술 트렌트
    습득 기회와 국가 과제를 통한
    무료 교육 등을 제공

교육 대상 및 인원

산업체 재직자, 00명


모집 및 교육 기간
  • ‘24년 정규과정, 교육기간 2~3일
  • 기업 수요맞춤형(수시)

교육 과정 소개(예시)

나노 기술 관련 기술 세미나 특강

반도체 공정 불량분석 평가

Microscopy & Spectroscopy

300mm Etcher 장비 및 공정 이해

12인치 ArF-immersion Scanner Lithography 용 응용소재 특성 이해

Metal Thickness에 따른 전기적 특성 측정 및 Rs 오차 분석

Oxide Etch Parameter Split Test

Target 저항 값을 얻기 위한 Poly Resistor 저항 분석

+@ 교육 대상자의 특성 및 수요에 맞춘 교육 과정 개설

반도체 공정 불량분석 평가 과정​

FIB FIB - 측정위치: x축 방향, 예상 단면도, 측정 결과
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TEM TEM - 구조분석결과 : GATE, METAL
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Metal Thickness에 따른 전기적 특성 측정 및 Rs 오차 분석​​

FAB-Out Inspection FAB-Out Inspection - IMD1 → M@ Patterning → IMD2 → Via2 Formation → M3 Pattering → FAB Out (AI 4500A TEM Image : M2 TEM Analysis, 93.2nm, 453nm, 9.27nm / AI 3500A TEM Image : 92.4nm, 349nm, 9.53nm / AI 2500A TEM Image : 89.5nm, 252nm, 9.26nm) - A.Thckness B.Profile C.Componential Analysis
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M2 Sheet Resistance[Rs] M2 Sheet Resistance[Rs] Serpentine, Sheet Resistance L=35100um, W=0.33um / M2 Serpentine 측정 결과 : R mean - WF2 9738.84, WF7 13673.09, WF9 19453.61 / Rs mean - 92.66, WF7 128.55, WF9 182.82 / M2 Sheet Resistance Data 정보제공
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Oxide Etch Parameter Split TEST

Oxide Etch Oxide Etch - Oxide(Dry) Etch의 목적 : Contact Etch, Via Etch, Gate Oxide Etch
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flow rat spilt : FE-SEM flow rat spilt : FE-SEM - Etch Rate, Selectivity
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Target 저항 값을 얻기 위한 Poly Resistor 저항 분석​​

Poly Resistor Poly Resistor - 정의: 회로 엔지니어가 전압을 소비하여 원하는 저항을 만들기 위해 사용되는, Poly Silicon으로 제작된 Resistor / 특징: 공정 및 도핑에 의해 저항 값 조절 / 비교: Poly Si 위에 Contatct, S/D 영역 없음, Gate 전극 없음
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Analysis 1. Sine Wave Sine Wave Graph
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담당자

백종훈(042-366-2091)