(나노종합기술원) 24년 인턴십 파견자 선정공고 사전안내-241018.hwp
(과기정통부 지원) 2024년도 반도체 글로벌 첨단 팹 연계활용사업
해외(imec) 인턴십 파견자 선정공고 사전안내
과기정통부에서 시행하는 2024년도 반도체 글로벌 첨단팹 연계활용사업- 인턴십 및 기술인력교류 프로그램에 참여할 인턴십 파견자 선정계획을 아래와 같이 사전안내 하오니 이공계 대학원생(석·박사 과정)의 많은 관심과 참여 부탁드립니다.
2024.10.18.
<주무부처> 과학기술정보통신부 원천기술과
<전문기관> 한국연구재단 반도체‧디스플레이단
<주관연구기관> 나노종합기술원 대외협력실
사업명
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세부사업명 |
내역사업명 |
파견자 선정 규모 |
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반도체 글로벌 첨단팹 연계활용 |
인턴십 및 기술인력 교류 |
16~20명 내외 |
인턴십 파견자 선정계획안 세부내용(붙임 참고)
향후 일정(안)
- 인턴십 참여자 선정공고 및 접수 : 2024.10.28.(월) ~ 11.15일(금)
※ 상기 일정은 추진 상황에 따라 변동될 수 있음
* (공고) 한국연구재단, (공고/접수) 나노종합기술원 홈페이지(www.nnfc.re.kr) 등
- 선정평가 : 2024.11.25.(월) ~ 11.26(화)
- 파견준비 : 2024.12.1. ~ 2025.1월
- 파견개시 및 복귀 : 2025. 1월 이후 ~ 2026. 1월 이내
4. 문의처
- 나노종합기술원 대외협력실 실장 남궁지(042-366-2040), 담당 조혜인(042-366-2063)
<붙 임>
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2024년도 반도체 글로벌 첨단 팹 연계활용사업 인턴십 파견자 선정계획(안) |
2024년도 반도체 글로벌 첨단팹 연계활용사업- 인턴십 및 기술인력교류 프로그램에 참여할 인턴십 파견자 선정계획을 아래와 같이 사전안내 하오니 이공계 대학원생(석·박사 과정)의 많은 관심과 참여 부탁드립니다.
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1. 사업개요 |
□ 사업목적
ㅇ 해외 반도체 첨단인프라 기반의 주요 연구거점 기관과의 공동프로젝트 수행 및 인턴십 활동을 통한 미래 첨단 반도체 분야 글로벌 기술 협력 소양을 갖춘 전문 R&D 인재양성
□ 사업 내용
ㅇ 해외 유수기관인 벨기에 imec*에서 추진하는 공동연구프로젝트 참여 수행을 위한 현지 연수 지원(형태: 인턴십)
* (imec) 나노전자 및 디지털테크분야에서 300mm 반도체 파일럿 라인과 600개 이상 글로벌 기업, 96개국 5,500명의 전문인력이 참여하는 세계 최고 수준의 연구 역량을 보유한 최대 인프라· R&D 기관
□ 공동연구개발 프로젝트 참여 분야
ㅇ 반도체 설계/공정, 메모리/시스템 반도체, 나노바이오, 첨단패키징 등
ㅇ IMEC CAREERS 홈페이지(Careers | imec (imec-int.com))*에 게시된 연구 주제 또는 imec 내부 연구책임자 제안 연수주제 리스트(참고*) 참조
* 2024년 9월 23일 기준(96개)으로 작성되었으며, 공고 확인 일시에 따라 일부 주제 변경 가능성이 있으므로 사업 공고 마감 기간 내 업로드된 주제에 한해서는 모두 인정
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2. 지원대상 및 자격요건 |
□ 지원 대상
ㅇ (국적) 대학민국 국적 소지자(남성은 병역 관련 법령에 따른 해외체류 가능한자)
ㅇ (학력) 국내 대학원 석사, 박사 재학생(통합과정 포함)
* 한국 내 대학, 연구원 등에서 학위 과정 중이어야 하며, 학부생, 졸업생 및 유학생은 지원 불가
ㅇ (전공) 파견 분야 관련 이공계 전공 국내 석박사 재학생
* 융복합 또는 자유전공인 경우 주요 이수 과목을 이공계열로 볼 여지가 있는 경우 지원 가능
ㅇ (지원 제한 대상) 최근 3년간 유사 사업(연구개발사업 포함) 참여 또는 해외기관에 파견된 자
ㅇ 최종 선발된 이후 연수 가능한 자
□ 지원 자격(어학·성적)
ㅇ (성적) 최종학위 성적 3.37/4.5 이상 우수자
* 학점 변환기준: 3.0/4.0, 3.22/4.3, 3.75/5.0, 75/100 이상으로, 석박사통합과정 재학생은 최근 2개년 이상 성적을 최종학위 성적으로 인정 가능
* 석박사통합과정 재학생은 최근 2개년 이상 성적을 최종학위 성적으로 인정 가능
ㅇ (어학) 영어 토익 770점, 토플 IBT 88점, 토익스피킹 IM3(130점), IELT 6.5점, TEPS 613점, TEPS-S 55점, New TEPS 294,
* 어학성적은 지원접수 마감일 기준 유효기간이 만료되지 않은 국내 정기시험 성적에 한하여 인정하며 조회 불가 성적은 불인정(단, 사이버국가고시센터에 등록된 어학성적의 경우 5년까지 인정)
□ 지원내용 및 기간
ㅇ (지원사항) 해외 연구기관에서 공동연구를 수행할 수 있는 출입국 비용(왕복항공료, 의료보험료, 비자수수료) 및 체재비(인건비 포함) 지원
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구분 |
석사(12개월 기준) |
박사(12개월 기준) |
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지원금 |
약 40백만원 |
약 55백만원 |
* 정부 지원금 이중수혜는 불가(정부지원 과제 참여 등), 협약 체결일 환율을 기준으로 산정 지원
ㅇ (지원규모) 16명~20명 내외(연수기간, 예산 등에 따라 조정될 수 있음)
ㅇ (연수기간) 12개월(예정 2025. 1. ~ 2025. 12.) 이내
* 파견 연수 시점은 연수대상자 및 연구기관 공동연구책임자와 협의 후 최종 확정
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3. 사업신청 및 제출서류 |
□ 신청기간 ※ 상기 일정은 추진 상황에 따라 변동될 수 있음
ㅇ 2024년 10월 28일(월) ~ 11월 15일(금) 18:00까지(오프라인 접수 없음)
ㅇ 추진일정
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구분 |
주체 |
추진내용 |
2024∼2025년 |
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사업 공고 (연수생 모집) |
한국연구재단 나노종합기술원 |
연수생 선발 모집 통합 공고 |
10월 중 |
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연수생 자격요건 사전검토 |
나노종합기술원 |
연수생 서류 제출 → 나노종합기술원 사전검토 |
10월~11월 |
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선정평가 및 최종선정 |
선정평가위원회 |
연수생 선정평가 실시 및 최종 선정심의(대면, 서면 등) |
11월 |
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연수생 출국 준비 |
나노종합기술원 연수생, IMEC |
연수생 최종 확정 및 출국준비(협약체결 포함) |
12월~1월 |
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연수생 출국 |
연수생 |
IMEC 연수 참여 |
2025년 1월 |
□ 신청방법 및 절차
ㅇ 신청방법: 접수 기한 내 주관연구기관 메일주소()로 신청서를 포함한 필수 서류 제출
※ (사업신청전 필수이행사항) IMEC 연구 주제 확인 및 연구책임자와 사전 협의(인터뷰)를 통해 연수 주제/내용, 기간, 활동내용 등 사전협의 완료 이후 신청(참여 가능 확인서 첨부)
□ 연수주제 사전협의 ※ 참고 파일(연수주제) 참고
ㅇ IMEC CAREERS 홈페이지(Careers | imec (imec-int.com))*에 게시된 연구 주제, 또는 imec 연구원 제시 주제를 선택 확인후 imec 연구책임자에게 공동연구 수행 가능 여부 등 협의
- (희망 연구주제 선정) imec 연구원 제시 주제, 온라인(careers) 주제 선택
* 연구주제 확인 방법: ①IMEC Career → ②Academic Opportunities 선택→ ③제시 리스트(붙임1) 또는 희망하는 Application domain 주제 선택 → ④Location(Leuven) 선택
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Application Domain 주제(안) |
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CMOS and Beyond CMOS, 3D System integration, Advanced nano-interconnects, Advanced patterning and key process steps, High-speed analog/RF, Neuromorphic computing, Next-generation logic devices, Novel memory concepts, Quantum computing, Silicon Photonics |
- (공동연구 주제 사전협의) 사업 참여신청 前 imec 연구책임자와 메일/유선 (인터뷰) 등을 통해 연구 수행 가능성(연수주제, 기간 등) 확인, 이후 지원 (imec 책임자와의 협의결과 지원 가능 확인할 수 있는 메일, 확인서 필첨)
※ 연수주제는 현재 imec과 협의중으로 확정시 재안내 예정
□ 제출서류
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구분 |
제출서류 |
주요 내용 |
구분 |
파일 형태 |
|
1 |
신청서 |
서식1호 |
필수 |
hwp |
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2 |
국·영문 이력서 |
자유 서식 |
필수 |
|
|
3 |
국·영문 연구수행계획서 |
서식2호 |
필수 |
hwp |
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4 |
지도교수추천서 |
서식3호 |
필수 |
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5 |
IMEC 사전 협의 내용 |
메일 내용(증빙)을 통해 인턴쉽 참여가능(주제, 기간 등) 등 확인 |
필수 |
메일 증빙 |
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6 |
재학증명서 |
(석사/박사) 재학증명서 |
필수 |
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|
7 |
성적증명서 |
(석사/박사) 성적증명서 |
필수 |
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8 |
공익어학성적증명서 |
어학 기준 참고 |
필수 |
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9 |
서약서 |
서식4호 |
필수 |
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10 |
개인정보이용동의서 |
서식5호 |
필수 |
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4. 선정평가 |
□ 평가 기본방향
ㅇ 주관기관은 연수자 선정위원회의 객관성·공정성 확보를 위해 지원자 제출 서류 사전검토(IMEC 사전협의 내용, 어학, 성적)를 추진하며 결격사유가 없는 지원자에 대한 발표평가를 위한 선정위원회(내·외부 전문가 7인 이상) 구성
ㅇ 평가점수가 70점 이상인자는 선정대상이 되며 선정대상이 선정하고자 하는 규모보다 많을 경우 평가점수가 높은 순으로 선정함
□ 평가방법 : 발표평가 (연수생 발표 및 질의응답)
※ 평가대상 규모, 연수주제 등에 따라 분야별, 주제별 평가위원회 구성 가능
□ 선정절차
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①사전검토 |
② 선정평가 |
③최종 선정 |
④선정공고 |
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응모자격 및 제출 서류의 적절성 검토 (I IiMEC 사전협의 결과 등) |
➡ |
위원별 개별평가 (과제별 평가점수 부여) |
➡ |
연수대상자 최종 선정 (예비선정 후보자 포함) |
➡ |
평가결과 공고 (개별, 홈페이지등) |
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나노종합기술원 |
선정위원회 |
나노종합기술원 |
나노종합기술원 |
ㅇ (사전검토) IMEC 연구책임자와 사전협의(연구주제, 일정 등)메일 내용 확인을 통한 공동연구/파견 가능 여부 및 신청 자격(어학, 성적) 확인
ㅇ (발표평가) 연수생이 제출한 연구개발계획서 내용을 토대로 발표 및 평가위원 질의·응답 등을 통해 평가 실시
□ 평가항목
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구분 |
평가 내용 |
배점 |
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필요성 |
·연구(연수)의 필요성 및 계획 구체성 |
30 |
|
수행능력 |
·연구계획의 창의성 ·연구계획의 충실성 ·연구수행 역량 ·유사연구 수행 경험 등 |
40 |
|
발전 가능성 및 기대성과 |
·연구(연수)성과 활용 계획의 타당성 ·연구 수행 이후 향후 기대효과 |
30 |
|
합 계 |
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※ 최종 평가점수는 평가위원이 부여한 점수 중에 최고점과 최저점을 1개씩 제외한 점수의 산술평균값으로 도출(소수점 셋째 자리에서 반올림)
※ 평가점수가 동점일 경우, 배점의 평가항목 평가점수가 높은 순으로 우선순위 부여
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5. 사업 신청시 유의사항 |
□ 사업신청 시 유의사항
ㅇ 마감일 이후 신청서 제출, 제출 서류 미비, 타 과제와의 연구 내용 중복, 신청자격 부적격 등의 경우에 평가에서 제외 가능
ㅇ 각종 증빙자료의 기산일은 공고일 기준임(단, 참여 제한의 경우 신청마감일 전일을 기준으로 함)
ㅇ 제출된 서류는 선정평가 등 사업 운영을 위해 연수기관 및 평가위원에게 제공될 수 있으며, 평가 결과의 세부 내용은 공개하지 않음
ㅇ 사실과 다른 내용을 연구계획서, 별첨자료 등에 기재한 경우 제재(선정 취소 등) 가능
□ 파견 연수생 의무사항
ㅇ 출입국 등에 필요한 기간을 제외한 실제 연수기간을 기준으로 해외 체류기간(12개월 이내)을 준수해야 함
ㅇ 동 사업을 지원받은 연수대상자는 해외 연구·연수 종료 후 14일 이내 반드시 귀국하여야 함(개인적인 사유로 체류에 따른 항공편 변경 등 관련 비용 지원 불가) 불가항력적인 경우가 아님에도 14일 이내 귀국 의무를 준수하지 않을 경우, 해당자에 지원된 국비 전액을 주관기관에 반납하고, 주관기관은 해당 금액을 정산시 전문기관에 반납함
ㅇ 동 사업을 지원받은 연수대상자가 불가항력적인 경우가 아님에도 공동연구 수행을 중단하거나 의무사항을 불이행·불성실하게 수행하는 경우, 해외 연구(연수)기관으로부터 연수 중단 통보를 받은 경우, 또는 제출기한 내에 연구수행 결과물 미제출시, 해당자에 지원된 국비 전액 이내를 주관기관에 반납하고, 주관기관은 해당 금액을 정산 시 전문기관에 반납함
ㅇ 연수기간 중 국내 체류 가능일은 해외 체류 1개월 기준 1일을 허용하며, 개인별 국내 체류 가능일을 초과하는 경우 체재비를 일할 계산하여 반납해야 함(연수 기간에 대한 출입국사실을 위한 증명서는 결과보고서 내 별첨 제출)
ㅇ 연수기간동안 연수생은 출석, 지적재산/기밀유지, 안전, imec 정책 준수 등의 의무사항 준수
□ 파견 연수생 결과물 제출(성과목표)
ㅇ (성과물) 파견기간 동안의 성과물은 imec 연구원과 인턴십 파견자간의 협의를 통해 결정(imec은 성과도출에 필요한 기회, 환경 및 기술적 지원 제공)
- 저널/학회 논문발표 또는 imec 내부 컨퍼런스 발표(평가)
- (imec 제안) (연수 6개월) imec 내부(mini) 컨퍼런스 구두발표회 개최(imec 책임자, 파견자, NNFC 등)를 통한 중간점검, (연수 11개월) IMEC 최종 발표회(우수결과에 대해 저널 논문기고 기회 부여), (연수 12개월) 발표회 결과 우수 평가시 내부 보고서 작성 등
ㅇ (착수보고서) 연수 개시일로부터 1개월 이내 주관기관으로 제출
* 연수기관 도착 이후 1주일 이내 현지 도착보고 진행(현안 발생시 수시)
ㅇ (결과보고서) 연수 종료 후 1개월 이내 주관기관으로 제출(출입국사실증명서 필수)하고, 귀국 후 연수결과발표회 참여
ㅇ (연구노트) 매월 연구노트 작성 및 제출(파견자, 책임자 확인)
□ 파견 연수 지원금 지급방식
ㅇ (직접지급) 주관기관 → 연수생 계좌(본인명의 계좌) 지급
ㅇ (체재비) 주관기관에서 연수생에게 직접 지급하며, 매월 연구노트 등 연수활동 확인후 지급
ㅇ (교통비) 항공료, 의료보험, 기타 수수료 등은 실비 지원
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6. 사업문의 |
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소속기관 |
부서 |
성명 |
전화번호 |
이메일 |
|
나노종합기술원 |
대외협력실장 |
남궁지 |
042-366-2040 |
ngjs@nnfc.re.kr |
|
대외협력실 |
조혜인 |
042-366-2063 |
chi0829@nnfc.re.kr |
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참고 |
IMEC 연수주제(안) |
□ imec 내부연구원 제안
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구분 |
연구주제 |
연구책임자 |
|
1 |
Development of tip array sensors for characterization of nanoelectronics device structures by SPM |
Thomas Hantschel |
|
2 |
Development of advanced SPM tomography for characterization of nanoelectronics device structures |
Thomas Hantschel |
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3 |
High stability mechanism of CQD photodiodes for SWIR detection |
Sangyeon Lee |
|
4 |
Study of high aspect ratio gate etch for advanced CMOS transistor technologies |
Emmanuel DUPUY |
|
5 |
Infrared Depth sensing with Colloidal Quantum Dot Photodetectors |
Joo Hyoung Kim |
|
6 |
Advanced plasma etching of novel materials |
Leila Ghorbani |
|
7 |
Artifact-tolerant analog frontend for neuromodulation system in high-voltage BCD technology |
Chutham |
|
8 |
Corrective selective hard mask growth for High NA patterning |
Rémi Vallat |
|
9 |
Study of dep/etch cycling process for high aspect ratio etch |
Subhobroto Choudhury |
|
10 |
Development of plasma dicing process for 3D integration |
Violeta Georgieva |
|
11 |
Wet processing of high aspect ratio nanostructures |
Guy Vereecke |
|
12 |
In-situ ATR-FTIR study of wetting transition on HAR nanostructures |
Xiumei Xu |
□ 홈페이지(career) 게시 주제(9.23일 기준 96건)
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구분 |
연구주제 |
연구책임자 |
|
1 |
Unlocking Nanoscale Dopant Secrets by Atom Probe Tomography for Next-Generation Semiconductors |
Claudia Fleischmann |
|
2 |
Investigating the Impact of Process Parameters and Substrate Properties on Wafer Bow after Temporary Bonding |
Kristof Paredis |
|
3 |
Prediction of lithograpy experiments |
Kristof Paredis |
|
4 |
Standard cell pin design for block-level optimization in advanced CMOS nodes |
Halil Kuekner |
|
5 |
Fabrication and evaluation of enabling tip chips for nano-tomography applications |
Claudia Fleischmann |
|
6 |
Study on EUV mask-induced polarization effect |
Stefan De Gendt |
|
7 |
Quantum Electro-Optics |
Christian Haffner |
|
8 |
Atomic-scale bottom-up fabrication: Area-Selective Deposition (ASD) of Si-based dielectrics and its application in IC manufacturing |
Annelies Delabie |
|
9 |
Understanding of MRAM-probabilistic-bit dynamics |
Marian Verhelst |
|
10 |
Machine Learning-Assisted Run-Time Power and Thermal Estimation in High-Performance Computing Processors |
Yukai Chen |
|
11 |
Standard cells Design Exploration using advanced Nodes |
Arka Dutta |
|
12 |
Exploring 2D Material Performance and Variability through Advanced Data Analytics in Electron Microscopy |
Claudia Fleischmann |
|
13 |
3D materials characterization for next generation devices |
Claudia Fleischmann |
|
14 |
Vertical phoNonic devices in logic platforms |
Piet Wambacq |
|
15 |
Quantum Scattering on Space-Time Interfaces |
Christophe Caloz |
|
16 |
Quantum sensing - The ultimate frontier |
Kristiaan De Greve |
|
17 |
Achieving 3-dimensional high-resolution, quantitative tomography layer interfaces |
Claudia Fleischmann |
|
18 |
On-chip dual comb spectroscopy for health and environment monitoring |
Bart Kuyken |
|
19 |
Full solid-state FMCW LiDAR on SiN/SOI with optical phased array, receiver, and on-chip mixing |
Wim Bogaerts |
|
20 |
material scarcity and sustainable semiconductors |
Bertrand Parvais |
|
21 |
Assessing the environmental impact and economical cost of future silicon photonic technologies |
Bertrand Parvais |
|
22 |
Flexible bonding interface for high-performance computing and heterogeneous integration. |
Clement Merckling |
|
23 |
Single crystalline 2D channel material by area-selective deposition for atomically thin transistors |
Annelies Delabie |
|
24 |
System technology co-optimization for high speed/high frequency chiplets and heterogeneous integration packaging |
Stefan De Gendt |
|
25 |
Magnetic materials: atomic layer etching and passivation |
Stefan De Gendt |
|
26 |
Exploring GaN HEMTs for Cutting-Edge Wireless Technologies |
Bertrand Parvais |
|
27 |
Thermalization Physics in Quantum Devices: Implications for Large-Scale Quantum Systems |
Kristiaan De Greve |
|
28 |
Study of switching dynamics in state-of-the-art SOT-MRAM |
Bart Soree |
|
29 |
Substrate effects in advanced GaN RF technologies |
Jean-Pierre Raskin |
|
30 |
Charge trapping in advanced CMOS devices at cryogenic temperatures for quantum computing applications |
Valeri Afanasiev |
|
31 |
Digitally assisted calibration of RF sampling ADCs |
Piet Wambacq |
|
32 |
Exploring materials and strategies for metal contacts of advanced 2D devices |
Clement Merckling |
|
32 |
Characterization of substrate-less semiconductors with energetic ion beams |
Andre Vantomme |
|
33 |
Machine-Learning Enabled Extreme Ultraviolet Lenless Imaging of Semiconductor Structures and Devices |
Claudia Fleischmann |
|
34 |
Fundamentals of wet process interactions of complex metal alloys |
Stefan De Gendt |
|
35 |
Pathfinding of emerging VLSI technologies and architectures with imperfect materials and processes |
Bertrand Parvais |
|
36 |
Dielectric and Metal Materials for Redistributed Layers: Thermo-Mechanical Properties and Challenges for Advanced Packaging |
Clement Merckling |
|
37 |
Advanced thermal management of wafer-level optical interconnects |
Pol Van Dorpe |
|
38 |
Probabilistic bit enabled Machine Intelligence for edge devices |
Marian Verhelst |
|
39 |
Optical characterization of SiGe/Si superlattices for future 3D gate-all-around devices |
Claudia Fleischmann |
|
40 |
Adaptive neuromorphic sensor-fusion |
Said Hamdoui |
|
41 |
In-Memory processing architecture for sensor fusion on edge |
Said Hamdoui |
|
42 |
Design-Space Exploration of a Non-volatile computing framework for distributed processing at the Edge |
Marian Verhelst |
|
43 |
Exposure dose control in Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) |
Claudia Fleischmann |
|
44 |
Thermal-aware design of advanced interconnects for future technologies |
Martine Baelmans |
|
45 |
Application of Continual Machine Learning and Causal Inference in Semiconductor Process Optimization: Towards Artificial General Intelligence |
Stefan De Gendt |
|
46 |
Design of integrated power amplifiers and transmitters for mobile applications in the FR3 band |
Piet Wambacq |
|
47 |
Machine learning for multi-scale thermal simulation of multi-chip packages |
Clement Merckling |
|
48 |
Nanoscale ferroelectrics and their response to external stimuli |
Jan Van Houdt |
|
49 |
3D structure and composition analysis by using delayering technique |
Claudia Fleischmann |
|
50 |
Material and etch chemistry screening for selectivity improvement and profile control of HAR structure |
Stefan De Gendt |
|
51 |
Ab-initio transport in topological and superconducting 2D materials for quantum-computing or spintronics |
Michel Houssa |
|
52 |
Chemically tunable 2D materials for next generation nanoelectronics using first-principles quantum transport modeling |
Michel Houssa |
|
53 |
Physics-based modeling of wafer-to-wafer bonding |
Clement Merckling |
|
54 |
Stress Modeling in CFET |
Philippe Matagne |
|
55 |
Study of the impact of different chemistries on the growth of MX2 |
Benjamin Groven |
|
56 |
Influence of growth conditions in the industrial scale of MX2 materials |
Henry Medina Silva |
|
57 |
Analyzing the Effect of Sample Preparation on the MX2 Material for Atomic-resolved Transmission Electron Microscopy |
Ankit Nalin Mehta |
|
58 |
Nano-ridge based Nanoscale Vacuum Channel Transistors (NVCTs) for THz communication systems |
Abhitosh Vais |
|
59 |
Solving challenging Semiconductor Manufacturing problems towards Advanced Process Control using Machine Learning |
Bappaditya Dey |
|
60 |
WS2 device fabrication using DUV lithography and dry resist |
Jean-Francois de Marneffe |
|
61 |
Polymer residue cleaning by metal-induced catalytic decomposition |
Jean-Francois de Marneffe |
|
62 |
Characterization and cleaning of aligned CNTs |
Jean-Francois de Marneffe |
|
63 |
Plasma/UV polymer cleaning of Graphene and WS2 |
Jean-Francois de Marneffe |
|
64 |
Quantum electro-optics |
Christian Haffner |
|
65 |
Atomistic Simulation of Polycrystalline Copper: Mechanical and Electromigration Reliability Analysis |
Houman Zahedmanesh |
|
66 |
Material scarcity and sustainable semiconductors |
Benjamin Vanhouche |
|
67 |
Study of the electronic stopping cross section of light ions in noble metals |
Johan Meersschaut |
|
68 |
Design and Optimization of the Fastest and Most Efficient RF CMOS Device through TCAD-Based Study |
Nadine Collaert |
|
69 |
Efficient design of photonic integrated components for microfluidic flow cytometry |
Gunay Yurtsever |
|
70 |
Investigation of Interfacial magnetic properties of novel oxide/ferromagnet heterostructures |
Jyotirmoy Chatterjee |
|
71 |
PDK development strategies for advanced technologies |
Arka Dutta |
|
72 |
Current in Plane Tunneling for Josephson Junction development |
Daniel Perez Lozano |
|
73 |
Magnetoelectric devices for beyond CMOS applications |
Florin Ciubotaru |
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74 |
Modeling of magnetoelectric effect for advanced spintronic applications |
Florin Ciubotaru |
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75 |
Inverse magnetoelectric effects for MRAM applications |
Florin Ciubotaru |
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76 |
Advanced characterization of amorphous chalcogenide threshold switches for self-selective memory applications |
Taras Ravsher |
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77 |
High-throughput atomic etching for Angstrom-era patterning |
Atefeh Fathzadeh |
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78 |
Simulation, modelling, and characterization of a novel surface-sensitive biosensor |
Stijn Jooken |
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79 |
Creating And Simulating Two-Qudit Gates |
James Keppens |
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80 |
Corrective selective hard mask growth for High NA patterning |
Remi Vallat |
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81 |
Investigation on the template effect of the seed layer for ferroelectric HZO layer |
DaeSeon Kwon |
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82 |
How to make nano-tomography of future logic and memory devices more successful? |
Jeroen Scheerder |
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83 |
3D atomic-scale characterization of next generation (and beyond) CMOS devices |
Jeroen Scheerder |
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84 |
High Speed IC Design for optical driver in III-V Technology |
Pratap Renukaswamy |
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85 |
Wet etching of thin films in nano-confinement for advanced transistors |
Guy Vereecke |
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86 |
GPU profiling for AI language translation workload training |
Dwaipayan Biswas |
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87 |
3D SRAM Memory Design in Nanofabric |
Dawit Abdi |
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89 |
Ptychographic Coherent Diffractive Imaging with EUV Light |
Vitaly Krasnov |
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90 |
Machine Learning for Hybrid Memory Arbitration |
Ivick Guerra Gomez |
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91 |
Impact of unit processes on the optical properties of electro optic materials |
Sandeep Seema Saseendran |
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92 |
Performance Benchmarking of emerging memories for embedded GPUs |
Aakash Patel |
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93 |
NoC communication profiling for HPC applications |
Aakash Patel |
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94 |
Logic roadmap evaluations using advanced TCAD tools up to library level characterization |
Marie Garcia Bardon |
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95 |
Design of Nanostructured Arrays for Ultrafast Surface-Enhanced Spectroscopies of EUV Photoresists |
John Petersen |
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96 |
High resolution volumetric lithography of complex 3D polymeric and biomaterial structures |
John Petersen |